肖恩·约翰逊

主要研究方向:
•半导体理论和表征
•微纳米制造
•电力电子
•电子电路设计
•嵌入式系统

专业的会员:
•电气和电子工程师协会
•美国工程教育学会
•材料研究学会

出版物:
•Johnson, S.， Pokharel, R.， Lowe, M.， Kuchoor, H.， Nalamati, S.， Davis, K.， Rathnayake, H.和Iyer, S.，使用sigmoidal模型研究图形化GaAsSbN纳米线。科学报告,2021年。11(1): 4651页。
•Devkota, S.， Parakh, M.， Johnson, S.， Ramaswamy, P.， Lowe, M.， Penn, A.， Reynolds, L.，和Iyer, S.，使用GaTe掺杂源和集成纳米线近红外光电探测器在自催化GaAsSb纳米线中的n掺杂研究。纳米技术,2020年。31 (50): p。505203。
•Parakh, M.， Johnson, S.， Pokharel, R.， Ramaswamy, P.， Nalamati, S.， Li, J.， & Iyer, S.，空间电荷限制了GaAsSb纳米线的导电机制和超高真空中原位退火的影响。纳米技术，2020 31(2)，025205。